TSMC, üç nanometre üretim sürecinin ayrıntılarını yayınladı; 2022’nin ikinci yarısında seri üretim

Tayvanlı şirket TSMC, son yıllık Teknoloji Sempozyumunda üç nanometre üretim sürecinin özelliklerini açıkladı. Son etkinlikte, üç nanometrelik sürecin tasarım ve yol haritasının ayrıntıları açıklandı. Çip dünyasının dev mühendisleri, N5P ve N4 olmak üzere beş nanometrelik alternatif üretim yöntemlerinin detaylarını da açıkladı.

TSMC etkinliğinin ilk önemli bilgisi, ikinci nesil DUV ve EUV üretim süreçlerini kullanan N5 üretim sürecine ayrıldı. Endüstride yaygın olarak kullanılmayan N7 + sonrası bu üretim süreci, yeni yöntemlerle yongaların performansını artırmaya çalışıyor. Kirin 990, N7 + üretim yöntemini kullanan tek işlemciydi. Bununla birlikte, N5 üretim yöntemi veya beş nanometre, uzun süredir seri üretim sürecinin bir parçası ve buna dayalı ilk yongalar müşterilere ulaşacak. Uzmanlar, beş nanometre işlemcilerle donatılmış ilk tüketici ürünlerinin bu yıl piyasaya sürüleceğini tahmin ediyor. Çok sayıda söylenti, Apple’ın yeni nesil tescilli işlemcilerinin beş nanometre çipler kullanılarak yapılacağını iddia ediyor.

Samsung ve TSMC, üç nanometrelik yongaların üretimi için kıyasıya bir rekabet yaşıyor

TSMC, beş nanometre üretim sürecinin ilerleme açısından önceki nesillere göre daha iyi bir yolda olduğunu iddia ediyor. N5’in N7’den bir sezon önce iyi üretim verimliliği elde ettiğini söylüyorlar. Beş nanometrelik yongalar artık seri üretimde önceki iki nesil olan N7 ve N10’dan çok daha verimli. Üretimin ilerlemesi ve kusurlarının azaltılması önceki yöntemlere göre daha hızlıdır.

Yarı iletken dünyasının Tayvanlı devinin gündeminde, mevcut N5 teknolojisine dayalı olarak geliştirilmekte olan N5P adlı yeni bir üretim yöntemi var. Yeni optimum yöntemi tanıtmanın amacı, önceki tasarımı kullanarak verimliliği ve güç tüketimini iyileştirmektir. Mühendisler, en uygun yöntemin yüzde beş daha hızlı ve yüzde 10 daha düşük güç tüketimi olduğunu iddia ediyor.

N5P’ye ek olarak, TSMC, N4 adlı başka bir yöntem geliştiriyor. Bu yöntem, beş nanometre üretim yöntemine dayalı olarak daha derin seviyelerde optimizasyon gerçekleştirir. N4’ün önemli ayrıntılarından biri, daha fazla EUV katmanının kullanılmasıdır. Ayrıca, yonga tasarımcılarının en uygun üretim yöntemine girmek için bu tür yeni yapıları değiştirmesi ve uygulaması gerekmeyecek. N4’ün deneme üretimi 2021’in dördüncü çeyreğinde başlayacak ve 2022 için seri üretim planlanıyor.

TSMC’nin son etkinlikteki en önemli haberi, beş nanometre üretim sürecindeki bir sonraki önemli adım oldu. Yeni nesil, üç nanometreye dayanan tasarım ve üretimi ciddi bir şekilde takip ediyorlar. Üç nanometre üretim yöntemi için tasarım ve geliştirme planı ile ilgili ilk haber geçen yıl TSMC’den geldi ve yeni yönteme dayalı yeni ürünler için umutları artırdı.

İlgili Makaleler:

Samsung, TSMC gibi, tasarım ve test programında üç nanometre üretim sürecine sahiptir. Koreliler üretim için GAA transistör yapısını kullanırken TSMC FinFET transistörlerine sadık kalmaya devam edecek. FinFET’in yeni nesil üretim yönteminde, üretim yönteminin her neslinden geçmek için iyi sonuçlar getireceğini umuyorlar.

Beş nanometreden farklı olarak üç nanometrelik üretim yöntemine verimlilik ve enerji tasarrufunda önemli bir gelişme eşlik ediyor. Tayvanlı şirket, N3’ün eşit güç tüketiminde yüzde 10 ila 15’lik bir verimlilik artışı veya eşit hızlarda güç tüketiminde yüzde 25 ila 30’luk bir iyileşme ile ilişkili olduğunu iddia ediyor. Ayrıca çipin mantıksal kısımlarının uzay yoğunluğunun da 1.7 kat artacağını iddia ediyorlar. Diğer bir deyişle, N3’ten N5’e yonganın mantık bölümünde 0.58x’lik bir ölçekleme faktörü göreceğiz. Elbette tüm yonga yapılarında boşluk büzülmesi aynı oranda öngörülemez. SRAM yoğunluğu, 0.8x’lik bir karşılaştırma faktörüne işaret ederek muhtemelen% 20 oranında artacaktır. Buna karşılık, analog yapılar daha kötü durumdadır ve yoğunlukları için 1.1x ölçeği tahmin edilmektedir.

Modern çip tasarımı, SRAM’a her zamankinden daha fazla odaklanıyor. Genel olarak, SRAM segmentinin yoğunluğu için her bir çip üzerindeki Mantık segmentine göre 70’e 30’luk bir oran tahmin edilir. Sonuç olarak, yonga seviyesinde kalıp azalmasının yaklaşık% 26 veya daha az olması beklenir.

N3’ün ilk ve pilot üretimi 2021’de başlayacak ve TSMC, 2022’nin ikinci yarısı için seri üretim öngörüyor. Tayvanlı şirketin üç nanometre üretim sürecindeki güç tüketimi ile ilgili yayınladığı detaylar, Samsung’un 3GAE sürecinin detaylarına çok benziyor. Öte yandan, TSMC üretim yöntemindeki yoğunluk çok daha öngörülebilir. Son olarak, çok daha küçük ölçekte üretim süreçlerinin kademeli olarak deneyselden seri üretime geçmesi ve belki de işlemci performansını artırmada derin bir etkisi olması için önümüzdeki ayları ve yılları beklemeliyiz.

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *